IEEE Electron Device Letters, 0741-3106

Tidskrift

Fler filtreringsmöjligheter
  1. 2018
  2. A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si

    Adam Jonsson, Johannes Svensson & Lars Erik Wernersson, 2018 jul, I : IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 935-938

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  3. Vertical nanowire TFETs with channel diameter down to 10 nm and point S MIN of 35 mV/decade

    Memisevic, E., Johannes Svensson, Erik Lind & Lars Erik Wernersson, 2018 jul, I : IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 1089-1091

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  4. 2017
  5. 2016
  6. High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs with Improved On-Current

    Zota, C. B., Lars Erik Wernersson & Erik Lind, 2016 okt 1, I : IEEE Electron Device Letters. 37, 10, s. 1264-1267 4 s., 7552490.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  7. 3-D Integrated Track-and-Hold Circuit Using InAs Nanowire MOSFETs and Capacitors

    Wu, J. & Lars Erik Wernersson, 2016 jul 1, I : IEEE Electron Device Letters. 37, 7, s. 851-854 4 s., 7478620.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  8. 2014
  9. Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs With Source/Drain Engineering

    Mo, J., Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2014, I : IEEE Electron Device Letters. 35, 5, s. 515-517

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  10. High-Frequency Gate-All-Around Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates

    Johansson, S., Memisevic, E., Lars-Erik Wernersson & Erik Lind, 2014, I : IEEE Electron Device Letters. 35, 5, s. 518-520

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  11. In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels

    Zota, C., Lars-Erik Wernersson & Erik Lind, 2014, I : IEEE Electron Device Letters. 35, 3, s. 342-344

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  12. RF and DC Analysis of Stressed InGaAs MOSFETs

    Roll, G., Erik Lind, Egard, M., Johansson, S., Lars Ohlsson & Lars-Erik Wernersson, 2014, IEEE Electron Device Letters, 35, 2, s. 181-183.

    Forskningsoutput: Bidrag till övrig tidskrift/dags- eller nyhetstidningArtikel i facktidskrift eller populärpress

  13. 2013
  14. High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

    Dey, A., Mattias Borg, Ganjipour, B., Martin Ek, Kimberly Dick Thelander, Erik Lind, Claes Thelander & Lars-Erik Wernersson, 2013, I : IEEE Electron Device Letters. 34, 2, s. 211-213

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  15. 2012
  16. High-Frequency Performance of Self-Aligned Gate-Last Surface Channel In0.53Ga0.47As MOSFET

    Egard, M., Lars Ohlsson, Ärlelid, M., Persson, K-M., Mattias Borg, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I : IEEE Electron Device Letters. 33, 3, s. 369-371

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  17. High-Performance InAs Nanowire MOSFETs

    Dey, A., Claes Thelander, Erik Lind, Kimberly Dick Thelander, Mattias Borg, Magnus Borgström, Nilsson, P. & Lars-Erik Wernersson, 2012, I : IEEE Electron Device Letters. 33, 6, s. 791-793

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  18. In0.53Ga0.47As RTD-MOSFET Millimeter-Wave Wavelet Generator

    Egard, M., Ärlelid, M., Lars Ohlsson, Mattias Borg, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I : IEEE Electron Device Letters. 33, 7, s. 970-972

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  19. Vertical InAs nanowire MOSFETs with IDS = 1.34 mA/µm and gm = 1.19 mS/µm at VDS = 0.5 V

    Persson, K-M., Berg, M., Mattias Borg, Wu, J., Henrik Sjöland, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I : IEEE Electron Device Letters. s. 195-196

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragPublicerat konferensabstract

  20. 2011
  21. Memristive and Memcapacitive Characteristics of a Au/Ti-HfO2-InP/InGaAs Diode

    Sun, J., Erik Lind, Maximov, I. & Hongqi Xu, 2011, I : IEEE Electron Device Letters. 32, 2, s. 131-133

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  22. 2010
  23. Low-frequency noise in vertical InAs nanowire FETs

    Persson, K-M., Erik Lind, Dey, A., Claes Thelander, Henrik Sjöland & Lars-Erik Wernersson, 2010, I : IEEE Electron Device Letters. 31, 5, s. 428-430

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  24. 2008
  25. A novel SR latch device realized by integration of three-terminal ballistic junctions in InGaAs/InP

    Sun, J., Wallin, D., Maximov, I. & Hongqi Xu, 2008, I : IEEE Electron Device Letters. 29, 6, s. 540-542

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  26. Heterostructure Barriers in Wrap Gated Nanowire FETs

    Fröberg, L., Rehnstedt, C., Claes Thelander, Erik Lind, Lars-Erik Wernersson & Lars Samuelson, 2008, I : IEEE Electron Device Letters. 29, 9, s. 981-983

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  27. Vertical enhancement-mode InAs nanowire field-effect transistor with 50-nm wrap gate

    Claes Thelander, Fröberg, L., Rehnstedt, C., Lars Samuelson & Lars-Erik Wernersson, 2008, I : IEEE Electron Device Letters. 29, 3, s. 206-208

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  28. 2006
  29. Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor

    Bryllert, T., Lars-Erik Wernersson, Fröberg, L. & Lars Samuelson, 2006, I : IEEE Electron Device Letters. 27, 5, s. 323-325

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  30. 2004
  31. Novel nanoelectronic triodes and logic devices with TBJs

    Hongqi Xu, Shorubalko, I., Wallin, D., Maximov, I., Pär Omling, Lars Samuelson & Seifert, W., 2004, I : IEEE Electron Device Letters. 25, 4, s. 164-166

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  32. Resonant tunneling permeable base transistors with high transconductance

    Erik Lind, Lindström, P. & Lars-Erik Wernersson, 2004, I : IEEE Electron Device Letters. 25, 10, s. 678-680

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  33. 2002
  34. A novel frequency-multiplication device based on three-terminal ballistic junction

    Shorubalko, I., Hongqi Xu, Maximov, I., Nilsson, D., Pär Omling, Lars Samuelson & Seifert, W., 2002, I : IEEE Electron Device Letters. 23, 7, s. 377-379

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift