IEEE Electron Device Letters, 0741-3106

Tidskrift

Fler filtreringsmöjligheter
  1. 2020
  2. Low-Power Resistive Memory Integrated on III-V Vertical Nanowire MOSFETs on Silicon

    Saketh, Ram Mamidala, Karl-Magnus Persson, Mattias Borg & Lars-Erik Wernersson, 2020 aug 3, I: IEEE Electron Device Letters. 41, 9, s. 1432-1435 9154433.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  3. High-Performance Vertical III-V Nanowire MOSFETs on Si with gm> 3 mS/μm

    Olli Pekka Kilpi, Markus Hellenbrand, Johannes Svensson, Axel R. Persson, Reine Wallenberg, Erik Lind & Lars Erik Wernersson, 2020, I: IEEE Electron Device Letters. 41, 8, s. 1161-1164 4 s., 9123921.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  4. 2018
  5. A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si

    Adam Jonsson, Johannes Svensson & Lars Erik Wernersson, 2018 jul, I: IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 935-938

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  6. Vertical nanowire TFETs with channel diameter down to 10 nm and point S MIN of 35 mV/decade

    Elvedin Memisevic, Johannes Svensson, Erik Lind & Lars Erik Wernersson, 2018 jul, I: IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 1089-1091

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  7. Capacitance Measurements in Vertical III-V Nanowire TFETs

    Markus Hellenbrand, Elvedin Memisevic, Johannes Svensson, Abinaya Krishnaraja, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2018 maj 4, I: IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 943-946 4 s.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  8. 2017
  9. Low-Frequency Noise in III-V Nanowire TFETs and MOSFETs

    Markus Hellenbrand, Elvedin Memisevic, Martin Berg, Olli-Pekka Kilpi, Johannes Svensson & Lars-Erik Wernersson, 2017 sep 28, I: IEEE Electron Device Letters.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  10. Impact of Band-Tails on the Subthreshold Swing of III-V Tunnel Field-Effect Transistor

    Elvedin Memisevic, Erik Lind, Markus Hellenbrand, Johannes Svensson & Lars-Erik Wernersson, 2017, I: IEEE Electron Device Letters. s. 1661 - 1664

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  11. 2016
  12. High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs with Improved On-Current

    Cezar B. Zota, Lars Erik Wernersson & Erik Lind, 2016 okt 1, I: IEEE Electron Device Letters. 37, 10, s. 1264-1267 4 s., 7552490.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  13. Electrical Characterization and Modeling of Gate-Last Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si

    Martin Berg, Olli-Pekka Kilpi, Karl-Magnus Persson, Johannes Svensson, Markus Hellenbrand, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2016 aug 8, I: IEEE Electron Device Letters. 37, 8, s. 966 - 969 4 s.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  14. 3-D Integrated Track-and-Hold Circuit Using InAs Nanowire MOSFETs and Capacitors

    Jun Wu & Lars Erik Wernersson, 2016 jul 1, I: IEEE Electron Device Letters. 37, 7, s. 851-854 4 s., 7478620.

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  15. Scaling of Vertical InAs–GaSb Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors on Si

    Elvedin Memisevic, Johannes Svensson, Markus Hellenbrand, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2016 maj 5, I: IEEE Electron Device Letters. 37, 5, s. 549 - 552

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  16. 2014
  17. Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs With Source/Drain Engineering

    Jiongjiong Mo, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2014, I: IEEE Electron Device Letters. 35, 5, s. 515-517

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  18. High-Frequency Gate-All-Around Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates

    Sofia Johansson, Elvedin Memisevic, Lars-Erik Wernersson & Erik Lind, 2014, I: IEEE Electron Device Letters. 35, 5, s. 518-520

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  19. In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels

    Cezar Zota, Lars-Erik Wernersson & Erik Lind, 2014, I: IEEE Electron Device Letters. 35, 3, s. 342-344

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  20. RF and DC Analysis of Stressed InGaAs MOSFETs

    Guntrade Roll, Erik Lind, Mikael Egard, Sofia Johansson, Lars Ohlsson & Lars-Erik Wernersson, 2014, IEEE Electron Device Letters, 35, 2, s. 181-183.

    Forskningsoutput: Bidrag till övrig tidskrift/dags- eller nyhetstidningArtikel i facktidskrift eller populärpress

  21. 2013
  22. High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

    Anil Dey, Mattias Borg, Bahram Ganjipour, Martin Ek, Kimberly Dick Thelander, Erik Lind, Claes Thelander & Lars-Erik Wernersson, 2013, I: IEEE Electron Device Letters. 34, 2, s. 211-213

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  23. 2012
  24. High-Frequency Performance of Self-Aligned Gate-Last Surface Channel In0.53Ga0.47As MOSFET

    Mikael Egard, Lars Ohlsson, Mats Ärlelid, Karl-Magnus Persson, Mattias Borg, Filip Lenrick, Reine Wallenberg, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I: IEEE Electron Device Letters. 33, 3, s. 369-371

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  25. High-Performance InAs Nanowire MOSFETs

    Anil Dey, Claes Thelander, Erik Lind, Kimberly Dick Thelander, Mattias Borg, Magnus Borgström, Peter Nilsson & Lars-Erik Wernersson, 2012, I: IEEE Electron Device Letters. 33, 6, s. 791-793

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  26. In0.53Ga0.47As RTD-MOSFET Millimeter-Wave Wavelet Generator

    Mikael Egard, Mats Ärlelid, Lars Ohlsson, Mattias Borg, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I: IEEE Electron Device Letters. 33, 7, s. 970-972

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  27. Vertical InAs nanowire MOSFETs with IDS = 1.34 mA/µm and gm = 1.19 mS/µm at VDS = 0.5 V

    Karl-Magnus Persson, Martin Berg, Mattias Borg, Jun Wu, Henrik Sjöland, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2012, I: IEEE Electron Device Letters. s. 195-196

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragPublicerat konferensabstract

  28. 2011
  29. Memristive and Memcapacitive Characteristics of a Au/Ti-HfO2-InP/InGaAs Diode

    Jie Sun, Erik Lind, Ivan Maximov & Hongqi Xu, 2011, I: IEEE Electron Device Letters. 32, 2, s. 131-133

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  30. 2010
  31. Low-frequency noise in vertical InAs nanowire FETs

    Karl-Magnus Persson, Erik Lind, Anil Dey, Claes Thelander, Henrik Sjöland & Lars-Erik Wernersson, 2010, I: IEEE Electron Device Letters. 31, 5, s. 428-430

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  32. 2008
  33. A novel SR latch device realized by integration of three-terminal ballistic junctions in InGaAs/InP

    Jie Sun, Daniel Wallin, Ivan Maximov & Hongqi Xu, 2008, I: IEEE Electron Device Letters. 29, 6, s. 540-542

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  34. Heterostructure Barriers in Wrap Gated Nanowire FETs

    Linus Fröberg, Carl Rehnstedt, Claes Thelander, Erik Lind, Lars-Erik Wernersson & Lars Samuelson, 2008, I: IEEE Electron Device Letters. 29, 9, s. 981-983

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragLetter

  35. Vertical enhancement-mode InAs nanowire field-effect transistor with 50-nm wrap gate

    Claes Thelander, Linus Fröberg, Carl Rehnstedt, Lars Samuelson & Lars-Erik Wernersson, 2008, I: IEEE Electron Device Letters. 29, 3, s. 206-208

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  36. 2006
  37. Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor

    Tomas Bryllert, Lars-Erik Wernersson, Linus Fröberg & Lars Samuelson, 2006, I: IEEE Electron Device Letters. 27, 5, s. 323-325

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  38. 2004
  39. Novel nanoelectronic triodes and logic devices with TBJs

    Hongqi Xu, Ivan Shorubalko, Daniel Wallin, Ivan Maximov, Pär Omling, Lars Samuelson & Werner Seifert, 2004, I: IEEE Electron Device Letters. 25, 4, s. 164-166

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  40. Resonant tunneling permeable base transistors with high transconductance

    Erik Lind, Peter Lindström & Lars-Erik Wernersson, 2004, I: IEEE Electron Device Letters. 25, 10, s. 678-680

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

  41. 2002
  42. A novel frequency-multiplication device based on three-terminal ballistic junction

    Ivan Shorubalko, Hongqi Xu, Ivan Maximov, D Nilsson, Pär Omling, Lars Samuelson & Werner Seifert, 2002, I: IEEE Electron Device Letters. 23, 7, s. 377-379

    Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift