Adam Jönsson
Doktorand1 - 5 av 5Sidstorlek: 100
Sortera efter: Utgivningsår
- 2020
Gate-Length Dependence of Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si
Adam Jönsson, Johannes Svensson, Erik Lind & Lars-Erik Wernersson, 2020 aug 20, I: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 10, s. 4118-4122Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift
- 2019
-
Balanced Drive Currents in 10–20 nm Diameter Nanowire All-III-V CMOS on Si
Adam Jönsson, Johannes Svensson & Lars-Erik Wernersson, 2019 jan 17, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., s. 39.3.1-39.3.4Forskningsoutput: Kapitel i bok/rapport/Conference proceeding › Konferenspaper i proceeding
- 2018
A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
Adam Jonsson, Johannes Svensson & Lars Erik Wernersson, 2018 jul, I: IEEE Electron Device Letters. 39, 7, s. 935-938Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift
