Investigations of radiative lifetimes in the 3p 5p configuration of neutral silicon

Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskrift

Abstract

Lifetimes for the3S1,3P0, 1, 2 and3D1, 2, 3 states in the 3s23p5p configuration of silicon have been determined using stepwise dye laser excitation and time resolved detection. A comparison is made with theoretical values, calculated using multi-configuration Hartree-Fock wavefunctions. Laser-evaporation was used to produce free silicon atoms by focusing a Nd: YAG laser on a rotating silicon target.

Detaljer

Författare
  • H Bergstrom
  • G. W Faris
  • H Hallstadius
  • Hans Lundberg
  • A Persson
Enheter & grupper
Forskningsområden

Ämnesklassifikation (UKÄ) – OBLIGATORISK

  • Atom- och molekylfysik och optik

Nyckelord

Originalspråkengelska
Sidor (från-till)29-31
TidskriftZeitschrift für Physik D Atoms, Molecules and Clusters
Volym13
Utgåva nummer1
StatusPublished - 1989
PublikationskategoriForskning
Peer review utfördJa