Återgå till huvudnavigering
Återgå till sök
Gå direkt till huvudinnehållet
Lunds universitet Hem
English
Svenska
Hem
Profiler
Forskningsoutput
Projekt
Enheter
Infrastruktur
Aktiviteter
Priser och utmärkelser
Sök efter expertis, namn eller tillhörighet
Lars Fhager
Knuten till universitetet
Profilområdesmedlem
,
LTH profilområde: AI och digitalisering
Profilområdesmedlem
,
LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi
Profilområdesmedlem
,
LU profilområde: Ljus och material
Principal Investigator
,
NanoLund: Centre for Nanoscience
Biträdande universitetslektor
,
Elektromagnetism och nanoelektronik
https://orcid.org/0000-0001-9721-5582
Telefon
+46462223021
E-postadress
lars.fhager
eit.lth
se
Översikt
Fingeravtryck
Nätverk
Forskningsoutput
(44)
Projekt
(2)
Liknande profiler
(12)
Handlett arbete
(3)
Fingeravtryck
Utforska forskningsämnen där Lars Fhager är aktiv. Dessa ämnesetiketter kommer från personens arbeten. Tillsammans bildar de ett unikt fingeravtryck.
Sortera efter
Vikt
Alfabetisk ordning
Engineering
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Antenna
100%
Networks (Circuits)
98%
Dielectrics
90%
Generators
86%
Transmitter
44%
Performance
43%
Resonator
39%
Indium Gallium Arsenide
36%
High Frequency
36%
Models
33%
Time Domain
33%
Low-Temperature
31%
Transistor
29%
Transmissions
29%
Electric Lines
27%
Low Noise Amplifier
21%
Stages
21%
Radio Frequency
21%
Noise Figure
20%
Bit Error Rate
20%
Characteristics
19%
Energy Engineering
19%
Voltage
19%
Field-Effect Transistor
19%
Gate Length
18%
Waveform
18%
Radio Link
18%
Engineering
18%
Circuit Design
18%
Pulse Generator
16%
Houses
16%
Transceiver
16%
Cutoff Frequency
15%
Picosecond
15%
Radar Systems
15%
Radio System
15%
Frequency Dispersion
14%
Front End
13%
Capacitive
13%
V-Band
12%
High Efficiency
12%
Frequency Noise
12%
Data Rate
12%
Defects
12%
Interconnects
12%
Scattering
12%
Tunnels
12%
Millimeter Wave
12%
Pulse Generator
12%
Material Science
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
84%
Devices
56%
Dielectric Material
44%
Resonator
36%
Surface
36%
Electronic Circuit
35%
Nanowire
26%
Indium Gallium Arsenide
24%
Diode
24%
Temperature
20%
Transistor
18%
Oxide Compound
16%
Field Effect Transistor
16%
Capacitance
14%
Water
7%
Aluminum Oxide
6%
Electronic Property
6%
Hafnium
6%
Hot Carrier
6%
Charge Trapping
6%
Dielectric Property
5%