Forskningsoutput per år
Forskningsoutput per år
Personlig profil
Forskning
I am mainly working on epitaxy and processing development of III-V heterostructure nanowires for nanoscale electronic devices, including MOSFETs and Tunneling FETs.
Currently, I focus on the integration of III-V vertical nanowires with HfO2-based ferroelectric high-κ film to achieve steep-slope devices for low power applications as well as reconfigurable devices potentially for neuromorphic systems.
Fingeravtryck
Utforska forskningsämnen där Zhongyunshen Zhu är aktiv. Dessa ämnesetiketter kommer från personens arbeten. Tillsammans bildar de ett unikt fingeravtryck.
- 1 Liknande profiler
Nätverk
Externa samarbeten med länder/områden de senaste 5 åren
Forskningsoutput
- 8 Artikel i vetenskaplig tidskrift
-
Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor
Zhu, Z., Persson, A. E. O. & Wernersson, L-E., 2023 maj 3, I: Nature Communications. 14Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift › Peer review
Öppen tillgång -
Sensing single domains and individual defects in scaled ferroelectrics
Zhu, Z., Persson, A. E. O. & Wernersson, L-E., 2023 feb. 3, I: Science Advances. 9, 5, 10 s., eade7098.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift › Peer review
Öppen tillgång -
Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si
Zhu, Z., Jönsson, A., Liu, Y. P., Svensson, J., Timm, R. & Wernersson, L. E., 2022 jan. 25, I: ACS Applied Electronic Materials. 4, 1, s. 531-538 8 s.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift › Peer review
Öppen tillgång -
Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon
Persson, A. E. O., Zhu, Z., Athle, R. & Wernersson, L-E., 2022 juni, I: IEEE Electron Device Letters. 43, 6, s. 854 - 857Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift › Peer review
Öppen tillgångFil75 Nedladdningar (Pure) -
Performance enhancement of GaSb vertical nanowire p-type MOSFETs on Si by rapid thermal annealing
Zhu, Z., Svensson, J., Jönsson, A. & Wernersson, L. E., 2022 feb. 12, I: Nanotechnology. 33, 7, 075202.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel i vetenskaplig tidskrift › Peer review
Öppen tillgång