In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels

Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikel i vetenskaplig tidskriftPeer review

Fingeravtryck

Fördjupa i forskningsämnen för ”In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels”. Tillsammans bildar de ett unikt fingeravtryck.

Engineering

Material Science

Biochemistry, Genetics and Molecular Biology

Chemistry